技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | NSS60600MZ4T1G |
| 数量： | 6666 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 |
| 制造商： | onsemi |
| 产品状态： | 在售 |
| 晶体管类型： | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： | 6 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）： | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： | 350mV @ 600mA，6A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）： | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： | 120 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大值： | 800 mW |
| 频率 - 跃迁： | 100MHz |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
ON Semiconductor的e 2 PowerEdge系列低电压CE（sat）晶体管是具有超低饱和特性的表面安装器件电压（VCE（sat））和高电流增益能力。这些都是经过设计的用于低电压、高速开关应用，其中负担得起的高效能源控制很重要。典型的应用是DC-DC转换器和电源管理在便携式和电池供电的产品中，如蜂窝电话和无绳电话手机、掌上电脑、电脑、打印机、数码相机和MP3播放器。其他应用是大容量存储中的低压电机控制磁盘驱动器和磁带驱动器等产品。在汽车领域工业上，它们可以用于安全气囊部署和仪器簇高电流增益允许e2 PowerEdge设备直接由PMU的控制输出驱动，以及线性增益（Beta）使其成为模拟放大器的理想组件。
