AFT05MS031NR1射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管-型号参数
技术参数品牌:NXP型号:AFT05MS031NR1封装:NA批号:21+数量:20000制造商:NXP产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管RoHS:是晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 40 V增益:19 dB输出功率:33 W最小工作温度:- 40 ...…
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技术参数品牌:NXP型号:AFT05MS031NR1封装:NA批号:21+数量:20000制造商:NXP产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管RoHS:是晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 40 V增益:19 dB输出功率:33 W最小工作温度:- 40 ...…
技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:FM24CL04B-G封装:8-SOIC批号:22+数量:8000制造商:Infineon产品种类:F-RAMRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8存储容量:4 kbit接口类型:I2C电源电压-最小:2.7 V电源电压-最大:3.65 V最小工作温...…
技术参数品牌:WOLFSPEED型号:C3M0032120K封装:TO-247-4批号:19+数量:600制造商:Cree, Inc.产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:12...…
技术参数品牌:TI/德州仪器型号:LM837MX/NOPB封装:SOP14批次:21+数量:20000制造商:Texas Instruments产品种类:运算放大器 - 运放RoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-14电源电压-最大:36 V每个通道的输出电流:40 mA通道数量:4 Channe...…
技术参数品牌:ON/安森美型号:NB3N551DG封装:SOIC-8批号:21+数量:3578制造商:ON Semiconductor产品种类:时钟缓冲器RoHS:是系列:NB3N551输出端数量:4 Output最大输入频率:180 MHz传播延迟—最大值:6 ns电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:3 V最小...…
技术参数品牌:Microchip(微芯)型号:MCP3221A5T-E/OT封装:SOT-23-5批号:23+数量:5000制造商:Microchip产品种类:模数转换器 - ADCRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-5分辨率:12 bit通道数量:1 Channel接口类型:I2C采样比...…
技术参数品牌:XILINX/赛灵思型号:XCAU25P-2FFVB676E封装:原厂原封批号:22+数量:3500RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-10C最大工作温度:125C最小电源电压:3V最大电源电压:9V长度:1.3mm宽度:8.2mm高度:2.8mmXilinx®7系列FPGA由四个FPGA系列...…
技术参数品牌:ON型号:NVMFS5C442NLAFT1G封装:DFN5批号:19+数量:46500制造商:onsemi产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-8FL-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:...…
技术参数品牌:TI/德州仪器型号:TL1431CDR封装:SOP-8批号:21+数量:120000制造商:Texas Instruments产品种类:参考电压RoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8参考类型:Shunt Adjustable Precision References输出电压:Ad...…
技术参数品牌:XILINX/赛灵思型号:XCAU25P-2FFVB676E封装:原厂原封批号:22+数量:3500RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-10C最大工作温度:125C最小电源电压:3V最大电源电压:9V长度:1.3mm宽度:8.2mm高度:2.8mmXilinx®7系列FPGA由四个FPGA系列...…
