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IKW40N65F5FKSA1分立半导体产品晶体管-技术参数

IKW40N65F5FKSA1.png

技术参数

品牌:英飞凌
型号:IKW40N65F5FKSA1
封装:QFN
批号:21
数量:3000
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 晶体管
RoHS:
技术:Si
封装 / 箱体:TO-247-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:1.6 V
栅极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:74 A
Pd-功率耗散:255 W
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 175 C
系列:TRENCHSTOP 5 F5
商标:Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:100 nA
产品类型:IGBT Transistors
工厂包装数量:240
子类别:IGBTs
商标名:TRENCHSTOP
零件号别名:IKW40N65F5 SP000973418
单位重量:38 g

功能和优点:

高速F5技术产品

  • 一流的手动切换和感应效率拓扑结构
  • 650V击穿电压
  • 低Qg
  • IGBT由RAPID1反并联二极管组封装
  • 最高连接温度175°C
  • 根据JEDEC的目标应用程序进行鉴定
  • 无铅电镀;符合RoHS
  • 完整的产品频谱和PSpiceModels

应用程序:

  • 太阳能转换器
  • 不间断电源
  • 焊接转换器
  • 中高频段切换变频器

Packagepin定义:

  • 引脚1门
  • 引脚2和背面收集器
  • 引脚3发射器

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