| 品牌： | ST |
| 型号： | PD57018-E |
| 封装： | 10RF-Formed-4 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Id-连续漏极电流： | 2.5 A |
| Vds-漏源极击穿电压： | 65 V |
| Rds On-漏源导通电阻： | 760 mOhms |
| 增益： | 16.5 dB |
| 输出功率： | 18 W |
| 最小工作温度： | - 65 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PowerSO-10RF-Formed-4 |
| 配置： | Single |
| 高度： | 3.5 mm |
| 长度： | 7.5 mm |
| 工作频率： | 1 GHz |
| 系列： | PD57018-E |
| 宽度： | 9.4 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 1 S |
| 通道模式： | Enhancement |
| 湿度敏感性： | Yes |
| Pd-功率耗散： | 31.7 W |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| 单位重量： | 3 g |
该器件是一种共源N沟道增强型横向场效应RF功率晶体管。它是为高增益、宽频带的商业和工业应用而设计的。它工作在28V的共模频率高达1GHz。该设备拥有ST最新LDMOS技术的卓越性能、线性和可靠性，安装在第一个真正的SMD塑料RF功率封装PowerSO-10RF中。设备卓越的线性性能使其成为基站应用的理想解决方案。PowerSO-10塑料封装旨在提供高可靠性，是ST JEDEC批准的第一个大功率SMD封装。它针对射频需求进行了专门优化，提供了出色的射频性能和易于组装。安装建议可在www.st.com/rf/上找到（请查看应用说明AN1294）。
