MMBFJ309LT1G结型场效应晶体管-型号参数
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | MMBFJ309LT1G |
| 封装： | SOT-23 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 90000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | JFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 配置： | Single |
| Vds-漏源极击穿电压： | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 ： | 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流： | 12 mA to 30 mA |
| 系列： | MMBFJ309L |
| 单位重量： | 40 mg |
MMBFJ309LT1G 是一款 N沟道 JFET(结型场效应晶体管)的型号。以下是对其可能的描述：
MMBFJ309LT1G 是一款低功耗的 N沟道 JFET，常用于低噪声放大器、开关和电路控制应用。它具有低输入电阻和高输入阻抗，适用于需要高灵敏度和低功耗的电路设计。
该 JFET 的额定工作电压和额定电流取决于具体的规格。它采用了先进的 JFET 技术，具有优异的电性能和可靠性。
MMBFJ309LT1G 的封装形式可能是 SOT-23 或其他类似的封装形式，方便在电路板上进行安装和焊接。
该 JFET 具有低噪声、高增益和稳定的工作特性，适用于需要高质量信号放大和低噪声性能的应用。它还具有低静态功耗和快速的开关速度。
