NTR4003NT3G电子管场效应管-行业资讯
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NTR4003NT3G |
| 封装： | SOT-23-3 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 40000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 560 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 4 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 800 mV |
| Qg-栅极电荷： | 1.15 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 690 mW |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.94 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | NTR4003N |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 1.3 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 0.33 S |
| 下降时间： | 64.2 ns |
| 上升时间： | 47.9 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 65.1 ns |
| 典型接通延迟时间： | 16.7 ns |
| 单位重量： | 8 mg |
特征
- 低栅极电压阈值(VGS(TH))，以促进驱动电路设计
- 用于快速切换的低栅极电荷
- ESD保护门
- SOT−23封装提供卓越的热性能最小击穿电压额定值为30 V
- 汽车和其他需要NVR前缀的应用独特的现场和控制变更要求;AEC−第101季度合格且具备PPAP能力
- 这些设备不含铅，符合RoHS标准
应用
- 笔记本
- 移位器
- 逻辑开关
- 低侧负载开关
- 便携式应用程序
