FQB19N20LTM电子灯镇流器-技术参数
技术参数
| 品牌： | onsemi |
| 型号： | FQB19N20LTM |
| 批号： | 20+ |
| 数量： | 1440 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 21 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 140 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 3.13 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 4.83 mm |
| 长度： | 10.67 mm |
| 系列： | FQB19N20L |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.65 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 18.5 S |
| 下降时间： | 180 ns |
| 上升时间： | 300 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 130 ns |
| 典型接通延迟时间： | 35 ns |
| 零件号别名： | FQB19N20LTM_NL |
| 单位重量： | 1.312 g |
描述：
这种N沟道增强型功率MOSFET是使用Fairchild半导体公司的专有平面成熟度和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术经过特别定制，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
