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| W987D2HBJX6E 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | W987D2HBJX6E |
| 描述 | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA |
| 制造商 | Winbond Electronics |
| 库存 | 2123 |
| 系列 | - |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - 移动 LPSDR |
| 存储容量 | 128Mb（4M x 32） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 166 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns |
| 访问时间 | 5.4 ns |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 90-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 90-VFBGA（8x13） |
