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| 70T659S10DR 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | 70T659S10DR |
| 描述 | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP |
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc |
| 库存 | 3864 |
| 系列 | - |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | SRAM |
| 技术 | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量 | 4.5Mb（128K x 36） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | - |
| 写周期时间 - 字，页 | 10ns |
| 访问时间 | 10 ns |
| 电压 - 供电 | 2.4V ~ 2.6V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 208-BFQFP |
| 供应商器件封装 | 208-PQFP（28x28） |
