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翔鸥贸易为您提供Micron Technology Inc.设计生产的MT47H512M4THN-25E:M 型号，现有大量现货库存。MT47H512M4THN-25E:M的封装/规格参数为63-TFBGA；同时翔鸥贸易为您提供Micron Technology Inc.品牌MT47H512M4THN-25E:M型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MT47H512M4THN-25E:M详细使用方法及教程。
| MT47H512M4THN-25E:M 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | MT47H512M4THN-25E:M |
| 描述 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 库存 | 1006 |
| 系列 | - |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - DDR2 |
| 存储容量 | 2Gb（512M x 4） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 400 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns |
| 访问时间 | 400 ps |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 63-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 63-FBGA（8x10） |
