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| BQ4011LYMA-70N 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BQ4011LYMA-70N |
| 描述 | IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP |
| 制造商 | Texas Instruments |
| 库存 | 4102 |
| 系列 | - |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器格式 | NVSRAM |
| 技术 | NVSRAM（非易失性 SRAM） |
| 存储容量 | 256Kb（32K x 8） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | - |
| 写周期时间 - 字，页 | 70ns |
| 访问时间 | 70 ns |
| 电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 供应商器件封装 | 28-DIP 模块（18.42x37.72） |
