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翔鸥贸易为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的G3R350MT12J 型号，现有大量现货库存。G3R350MT12J的封装/规格参数为TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA；同时翔鸥贸易为您提供GeneSiC Semiconductor品牌G3R350MT12J型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G3R350MT12J详细使用方法及教程。
| G3R350MT12J 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | G3R350MT12J |
| 描述 | SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7 |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 库存 | 6552 |
| 系列 | G3R™ |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 420 毫欧 @ 4A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.69V @ 2mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 15 V |
| Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 334 pF @ 800 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 75W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263-7 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
