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| IMW65R048M1HXKSA1 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IMW65R048M1HXKSA1 |
| 描述 | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 2962 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | - |
| 技术 | - |
| 漏源电压（Vdss） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 39A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 工作温度 | - |
| 安装类型 | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 封装/外壳 | - |
