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| NTH4L022N120M3S 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | NTH4L022N120M3S |
| 描述 | SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 1462 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 68A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 40A， 18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.4V @ 20mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 151 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3175 pF @ 800 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 352W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-4L |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |
