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翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TW015N120C,S1F 型号，现有大量现货库存。TW015N120C,S1F的封装/规格参数为TO-247-3；同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TW015N120C,S1F型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TW015N120C,S1F详细使用方法及教程。
| TW015N120C,S1F 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TW015N120C,S1F |
| 描述 | G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 8445 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiC（碳化硅结晶体管） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 50A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 11.7mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 158 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +25V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6000 pF @ 800 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 431W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
