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TSM033NB04CR RLG

现货

翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM033NB04CR RLG 型号,现有大量现货库存。TSM033NB04CR RLG的封装/规格参数为8-PowerTDFN;同时翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation品牌TSM033NB04CR RLG型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TSM033NB04CR RLG详细使用方法及教程。

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation
描述:MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
封装/外壳:8-PowerTDFN
库存:1358
规格书:
TSM033NB04CR RLG 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TSM033NB04CR RLG
描述 MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
库存 1358
系列 -
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A(Ta),121A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.3 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 77 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5022 pF @ 20 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),107W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-PDFN(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN
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