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TK39N60W5,S1VF

现货

翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK39N60W5,S1VF 型号,现有大量现货库存。TK39N60W5,S1VF的封装/规格参数为TO-247-3;同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TK39N60W5,S1VF型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TK39N60W5,S1VF详细使用方法及教程。

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
封装/外壳:TO-247-3
库存:9095
规格书:
TK39N60W5,S1VF 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TK39N60W5,S1VF
描述 MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 9095
系列 DTMOSIV
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 38.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 74 毫欧 @ 19.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 135 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4100 pF @ 300 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 270W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
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