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翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的IMZA120R020M1HXKSA1 型号，现有大量现货库存。IMZA120R020M1HXKSA1的封装/规格参数为TO-247-4；同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌IMZA120R020M1HXKSA1型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IMZA120R020M1HXKSA1详细使用方法及教程。
| IMZA120R020M1HXKSA1 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IMZA120R020M1HXKSA1 |
| 描述 | SIC DISCRETE |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 6222 |
| 系列 | CoolSiC™ |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 98A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V，18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26.9 毫欧 @ 41A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.2V @ 17.6mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 83 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +20V，-5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3460 nF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-4-8 |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |
