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翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的XPW6R30ANB,L1XHQ 型号，现有大量现货库存。XPW6R30ANB,L1XHQ的封装/规格参数为8-PowerVDFN；同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌XPW6R30ANB,L1XHQ型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有XPW6R30ANB,L1XHQ详细使用方法及教程。
| XPW6R30ANB,L1XHQ 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | XPW6R30ANB,L1XHQ |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 2088 |
| 系列 | U-MOSVIII-H |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.3 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 500µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 52 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3240 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta），132W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-DSOP Advance |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
