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| RS6G120BGTB1 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | RS6G120BGTB1 |
| 描述 | NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 库存 | 3218 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.34 毫欧 @ 90A， 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 67 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4240 pF @ 20 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 104W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-HSOP |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
