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| G2012 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | G2012 |
| 描述 | N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 库存 | 1092 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 5A， 4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1255 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-DFN（2x2） |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
