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IPTG111N20NM3FDATMA1

现货

翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的IPTG111N20NM3FDATMA1 型号,现有大量现货库存。IPTG111N20NM3FDATMA1的封装/规格参数为8-PowerSMD,鸥翼;同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌IPTG111N20NM3FDATMA1型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IPTG111N20NM3FDATMA1详细使用方法及教程。

制造商:Infineon Technologies
描述:TRENCH >=100V PG-HSOG-8
封装/外壳:8-PowerSMD,鸥翼
库存:3159
规格书:
IPTG111N20NM3FDATMA1 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IPTG111N20NM3FDATMA1
描述 TRENCH >=100V PG-HSOG-8
制造商 Infineon Technologies
库存 3159
系列 OptiMOS™ 3
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10.8A(Ta),108A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11.1 毫欧 @ 96A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 81 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7000 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),375W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-HSOG-8-1
封装/外壳 8-PowerSMD,鸥翼
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