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SISH407DN-T1-GE3

现货

翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SISH407DN-T1-GE3 型号,现有大量现货库存。SISH407DN-T1-GE3的封装/规格参数为PowerPAK® 1212-8SH;同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SISH407DN-T1-GE3型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SISH407DN-T1-GE3详细使用方法及教程。

制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
封装/外壳:PowerPAK® 1212-8SH
库存:8819
规格书:
SISH407DN-T1-GE3 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SISH407DN-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
制造商 Vishay Siliconix
库存 8819
系列 TrenchFET®
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15.4A(Ta),25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.5 毫欧 @ 15.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 93.8 nC @ 8 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2760 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.6W(Ta),33W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8SH
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8SH
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