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| BS107P 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BS107P |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3 |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 库存 | 8529 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.6V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 欧姆 @ 100mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
