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IPF042N10NF2SATMA1

现货

翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的IPF042N10NF2SATMA1 型号,现有大量现货库存。IPF042N10NF2SATMA1的封装/规格参数为TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片);同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌IPF042N10NF2SATMA1型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IPF042N10NF2SATMA1详细使用方法及教程。

制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET
封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
库存:9758
规格书:
IPF042N10NF2SATMA1 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IPF042N10NF2SATMA1
描述 MOSFET
制造商 Infineon Technologies
库存 9758
系列 StrongIRFET™ 2
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A (Ta), 139A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.25mOhm @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 93µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 85 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4000 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),167W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-7
封装/外壳 TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
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