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| IPT022N10NF2SATMA1 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IPT022N10NF2SATMA1 |
| 描述 | MOSFET |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 7846 |
| 系列 | StrongIRFET™ 2 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A (Ta), 236A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.25mOhm @ 150A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 169µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 155 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7300 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
