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STL6N2VH5

现货

翔鸥贸易为您提供STMicroelectronics设计生产的STL6N2VH5 型号,现有大量现货库存。STL6N2VH5的封装/规格参数为6-PowerWDFN;同时翔鸥贸易为您提供STMicroelectronics品牌STL6N2VH5型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STL6N2VH5详细使用方法及教程。

制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
封装/外壳:6-PowerWDFN
库存:2885
规格书:
STL6N2VH5 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 STL6N2VH5
描述 MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
库存 2885
系列 STripFET™ V
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 550 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.4W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerFlat™(2x2)
封装/外壳 6-PowerWDFN
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