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翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT10H015LFG-13 型号，现有大量现货库存。DMT10H015LFG-13的封装/规格参数为8-PowerVDFN；同时翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated品牌DMT10H015LFG-13型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT10H015LFG-13详细使用方法及教程。
| DMT10H015LFG-13 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | DMT10H015LFG-13 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 库存 | 4046 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta），42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1871 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），35W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
