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翔鸥贸易为您提供Microchip Technology设计生产的LND150N3-G-P013 型号，现有大量现货库存。LND150N3-G-P013的封装/规格参数为TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；同时翔鸥贸易为您提供Microchip Technology品牌LND150N3-G-P013型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有LND150N3-G-P013详细使用方法及教程。
| LND150N3-G-P013 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | LND150N3-G-P013 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 库存 | 4377 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30mA（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1000 欧姆 @ 500µA，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 740mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
