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TPH4R008QM,LQ

现货

翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPH4R008QM,LQ 型号,现有大量现货库存。TPH4R008QM,LQ的封装/规格参数为8-PowerTDFN;同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TPH4R008QM,LQ型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TPH4R008QM,LQ详细使用方法及教程。

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
封装/外壳:8-PowerTDFN
库存:1014
规格书:
TPH4R008QM,LQ 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TPH4R008QM,LQ
描述 POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 1014
系列 U-MOSIX-H
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 86A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4 毫欧 @ 43A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 57 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5300 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 960mW(Ta),170W(Tc)
工作温度 175°C
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOP Advance(5x5.75)
封装/外壳 8-PowerTDFN
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