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翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIHU4N80AE-GE3 型号，现有大量现货库存。SIHU4N80AE-GE3的封装/规格参数为TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB；同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SIHU4N80AE-GE3型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIHU4N80AE-GE3详细使用方法及教程。
| SIHU4N80AE-GE3 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SIHU4N80AE-GE3 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 1348 |
| 系列 | E |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.27 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 622 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | IPAK（TO-251） |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
