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TSM038N03PQ33 RGG

现货

翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM038N03PQ33 RGG 型号,现有大量现货库存。TSM038N03PQ33 RGG的封装/规格参数为8-PowerWDFN;同时翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation品牌TSM038N03PQ33 RGG型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TSM038N03PQ33 RGG详细使用方法及教程。

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation
描述:MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
封装/外壳:8-PowerWDFN
库存:1099
规格书:
TSM038N03PQ33 RGG 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TSM038N03PQ33 RGG
描述 MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
库存 1099
系列 -
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 78A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.8 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2557 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 39W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-PDFN(3.1x3.1)
封装/外壳 8-PowerWDFN
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