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DMT15H017LPSW-13

现货

翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT15H017LPSW-13 型号,现有大量现货库存。DMT15H017LPSW-13的封装/规格参数为8-PowerTDFN;同时翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated品牌DMT15H017LPSW-13型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有DMT15H017LPSW-13详细使用方法及教程。

制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
封装/外壳:8-PowerTDFN
库存:6063
规格书:
DMT15H017LPSW-13 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 DMT15H017LPSW-13
描述 MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
制造商 Diodes Incorporated
库存 6063
系列 -
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.4A(Ta),58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 17.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 50 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3369 pF @ 75 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta),89W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装 PowerDI5060-8(UX 类)
封装/外壳 8-PowerTDFN
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