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翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK35E08N1,S1X 型号，现有大量现货库存。TK35E08N1,S1X的封装/规格参数为TO-220-3；同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TK35E08N1,S1X型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK35E08N1,S1X详细使用方法及教程。
| TK35E08N1,S1X 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TK35E08N1,S1X |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 55A TO220 |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 3276 |
| 系列 | U-MOSVIII-H |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12.2 毫欧 @ 17.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 300µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700 pF @ 40 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 72W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
