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| S2M0080120D 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | S2M0080120D |
| 描述 | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
| 制造商 | SMC Diode Solutions |
| 库存 | 2847 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiC（碳化硅结晶体管） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 41A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 20A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 10mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 54 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +25V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1324 pF @ 1000 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 231W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
