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| FDZ3N513ZT 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | FDZ3N513ZT |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 8316 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 462 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | +5.5V，-0.3V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 85 pF @ 15 V |
| FET 功能 | 肖特基二极管（体） |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 4-WLCSP（0.96x0.96） |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，WLCSP |
