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TPC8126,LQ(CM

现货

翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPC8126,LQ(CM 型号,现有大量现货库存。TPC8126,LQ(CM的封装/规格参数为8-SOIC(0.173",4.40mm 宽);同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TPC8126,LQ(CM型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TPC8126,LQ(CM详细使用方法及教程。

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
库存:4670
规格书:
TPC8126,LQ(CM 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TPC8126,LQ(CM
描述 MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 4670
系列 U-MOSVI
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 56 nC @ 10 V
Vgs(最大值) +20V,-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2400 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOP(5.5x6.0)
封装/外壳 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
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