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TPCC8009,LQ(O

现货

翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPCC8009,LQ(O 型号,现有大量现货库存。TPCC8009,LQ(O的封装/规格参数为8-PowerVDFN;同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TPCC8009,LQ(O型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TPCC8009,LQ(O详细使用方法及教程。

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON
封装/外壳:8-PowerVDFN
库存:4198
规格书:
TPCC8009,LQ(O 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TPCC8009,LQ(O
描述 MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 4198
系列 U-MOSIV
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 24A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 26 nC @ 10 V
Vgs(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1270 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-TSON Advance(3.1x3.1)
封装/外壳 8-PowerVDFN
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