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| BSB012N03LX3 G 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BSB012N03LX3 G |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 1004 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 39A（Ta），180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 169 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 16900 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），89W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | MG-WDSON-2，CanPAK M™ |
| 封装/外壳 | 3-WDSON |
