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SIA850DJ-T1-GE3

现货

翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIA850DJ-T1-GE3 型号,现有大量现货库存。SIA850DJ-T1-GE3的封装/规格参数为PowerPAK® SC-70-6 双;同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SIA850DJ-T1-GE3型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SIA850DJ-T1-GE3详细使用方法及教程。

制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK
封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6 双
库存:5344
规格书:
SIA850DJ-T1-GE3 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SIA850DJ-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK
制造商 Vishay Siliconix
库存 5344
系列 LITTLE FOOT®
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 190 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 950mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.8 欧姆 @ 360mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 90 pF @ 100 V
FET 功能 肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),7W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 双
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6 双
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