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翔鸥贸易为您提供Microsemi Corporation设计生产的APTML20UM18R010T1AG 型号，现有大量现货库存。APTML20UM18R010T1AG的封装/规格参数为SP1；同时翔鸥贸易为您提供Microsemi Corporation品牌APTML20UM18R010T1AG型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APTML20UM18R010T1AG详细使用方法及教程。
| APTML20UM18R010T1AG 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | APTML20UM18R010T1AG |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 |
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 库存 | 6047 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 109A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9880 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 480W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 供应商器件封装 | SP1 |
| 封装/外壳 | SP1 |
