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| RJK0629DPE-00#J3 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
| 制造商零件编号 | RJK0629DPE-00#J3 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK |
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc |
| 库存 | 1588 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 85A(Ta) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.5 毫欧 @ 43A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 85 nC @ 10 V |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4100 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(最大值) | 100W(Tc) |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LDPAK |
| 封装/外壳 | SC-83 |
