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| SCTWA10N120 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SCTWA10N120 |
| 描述 | IC POWER MOSFET 1200V HIP247 |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 库存 | 7368 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 690 毫欧 @ 6A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA （标准） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +25V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 300 pF @ 1000 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | HiP247™ 长引线 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
