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STFI11N60M2-EP

现货

翔鸥贸易为您提供STMicroelectronics设计生产的STFI11N60M2-EP 型号,现有大量现货库存。STFI11N60M2-EP的封装/规格参数为TO-262-3 整包,I²Pak;同时翔鸥贸易为您提供STMicroelectronics品牌STFI11N60M2-EP型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STFI11N60M2-EP详细使用方法及教程。

制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
封装/外壳:TO-262-3 整包,I²Pak
库存:9522
规格书:
STFI11N60M2-EP 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 STFI11N60M2-EP
描述 MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
制造商 STMicroelectronics
库存 9522
系列 MDmesh™
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 595 毫欧 @ 3.75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 390 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 25W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I2PAKFP(TO-281)
封装/外壳 TO-262-3 整包,I²Pak
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