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翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIS612EDNT-T1-GE3 型号，现有大量现货库存。SIS612EDNT-T1-GE3的封装/规格参数为PowerPAK® 1212-8S；同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SIS612EDNT-T1-GE3型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIS612EDNT-T1-GE3详细使用方法及教程。
| SIS612EDNT-T1-GE3 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SIS612EDNT-T1-GE3 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 7351 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.9 毫欧 @ 14A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2060 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8S |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8S |
