24小时客户服务: 400-900-9110
24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
| FDMC510P-F106 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | FDMC510P-F106 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 3614 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta），18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 12A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 116 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7860 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta），41W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
