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翔鸥贸易为您提供onsemi设计生产的MVB50P03HDLT4G 型号，现有大量现货库存。MVB50P03HDLT4G的封装/规格参数为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时翔鸥贸易为您提供onsemi品牌MVB50P03HDLT4G型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MVB50P03HDLT4G详细使用方法及教程。
| MVB50P03HDLT4G 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | MVB50P03HDLT4G |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3 |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 8050 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 25A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4900 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
