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CTLDM8002A-M621H TR

现货

翔鸥贸易为您提供Central Semiconductor Corp设计生产的CTLDM8002A-M621H TR 型号,现有大量现货库存。CTLDM8002A-M621H TR的封装/规格参数为6-XFDFN 裸露焊盘;同时翔鸥贸易为您提供Central Semiconductor Corp品牌CTLDM8002A-M621H TR型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有CTLDM8002A-M621H TR详细使用方法及教程。

制造商:Central Semiconductor Corp
描述:MOSFET P-CH 50V 280MA TLM621H
封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘
库存:5173
规格书:
CTLDM8002A-M621H TR 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 CTLDM8002A-M621H TR
描述 MOSFET P-CH 50V 280MA TLM621H
制造商 Central Semiconductor Corp
库存 5173
系列 -
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 280mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.72 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 70 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TLM621H
封装/外壳 6-XFDFN 裸露焊盘
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