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IGLD60R070D1AUMA1

现货

翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的IGLD60R070D1AUMA1 型号,现有大量现货库存。IGLD60R070D1AUMA1的封装/规格参数为8-LDFN 裸焊盘;同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌IGLD60R070D1AUMA1型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IGLD60R070D1AUMA1详细使用方法及教程。

制造商:Infineon Technologies
描述:GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
封装/外壳:8-LDFN 裸焊盘
库存:1874
规格书:
IGLD60R070D1AUMA1 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IGLD60R070D1AUMA1
描述 GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
制造商 Infineon Technologies
库存 1874
系列 CoolGaN™
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1,6V @ 2,6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
Vgs(最大值) -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 380 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 114W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-LSON-8-1
封装/外壳 8-LDFN 裸焊盘
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