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HAT1069C-EL-E

现货

翔鸥贸易为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的HAT1069C-EL-E 型号,现有大量现货库存。HAT1069C-EL-E的封装/规格参数为6-SMD,扁平引线;同时翔鸥贸易为您提供Renesas Electronics America Inc品牌HAT1069C-EL-E型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有HAT1069C-EL-E详细使用方法及教程。

制造商:Renesas Electronics America Inc
描述:MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK
封装/外壳:6-SMD,扁平引线
库存:1041
规格书:
HAT1069C-EL-E 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 HAT1069C-EL-E
描述 MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK
制造商 Renesas Electronics America Inc
库存 1041
系列 -
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1380 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 900mW(Ta)
工作温度 150°C
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-CMFPAK
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
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